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低酸素クリーンオーブン(SCOシリーズ)

カスタム品

低温ポリシコンTFT工程での脱水素アニールやイオンドーピング工程後の活性化アニール、酸化物半導体TFT工程での高酸素アニール、フレキシブル表示デバイス用ポリイミド膜形成、半導体パッシベーション膜キュアなどの300~500℃のクリーンで且つ低酸素、高酸素熱処理を行う事が出来ます。効率のよい空調システムにより、高い温度分布性能を有し、さらに上昇降下特性も大幅に改善することで、処理能力も大幅アップしました。

  • 温度上昇・下降の変化時においてもクリーン度はクラス4(FED-STD-209Eのクラス10相当)※1を可能にしました。(オプション)
  • 酸素濃度も温度上昇・安定・下降時において、10ppm以下~60%を実現。※1極低酸素雰囲気から高酸素雰囲気下での熱処理が行えます。(高酸素対応はオプション)
  • スリム設計で設置スペースを50%縮小。(従来器比)
  • システム電気容量は50%ダウン。(従来器比)
  • 高性能な温度、酸素濃度制御システムによりステップごとに温度、時間、濃度の設定が出来ます。
  • 特殊な密封技術によって、使用ガスの消費量を抑えて処理することが出来ます。
  • 設定温度・現在温度・設定酸素濃度・現在酸素濃度・槽内圧力・ガス流量のモニター、データーロギング機能により、プロセスの開発を効率的に行うことが出来ます。 各データーはUSBメモリーにCSVファイルとして出力出来ます。

※1 低酸素・高クリーンを維持したまま温度降下を行います。温度降下時は、槽内の換気を行わないので、排気に槽内気が混入する事が無く、試料から可燃ガスや有害ガスが発生しても周囲に影響が及びませんので、スクラバー等の設置が不要です。

仕様(例)
対応ガラスサイズ 第1~第8.5世代 (第6~第8.5世代は特殊品にて対応します。)
対応ウエハーサイズ 150mm~450mm
温度範囲 +50℃~+500℃
温度分布 ±4.5℃(at350℃)
±7.0℃(at500℃)
(制御温度に到達後35分時点において)
クリーン度 温度変化時においてもクラス100(粒径0.5μm以上)
有効内法 1型:W400×H200×D470mm
2型:W420×H470×D500mm
4型:W730×H710×D920mm
外法 1型:W1200×H1140×D1386mm
2型:W1400×H1760×D2090mm
4型:W1710×H2000×D2510mm
オプション クリーン度クラス10対応、高酸素対応、酸素濃度制御、昇華物トラップ、昇華物自動ドレイン、非常停止スイッチ、シグナルタワー、自動化対応、SECS-HSMS通信対応、GEM通信対応
実績例
・温度範囲 +80℃~+500℃ 温度上昇時間 +80℃⇒+500℃/90分以内 無負荷 N2導入量200L/min
  温度降下時間 +500℃⇒+100℃/330分以内
  クリーン度 旧FED規格-STD-209E規格のクラス100相当
  残酸素濃度 10ppm以下

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