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高温逆バイアス試験装置

対応試験:
高温逆バイアス試験(HTRB)
高温ゲートバイアス試験(HTGB)
【カスタム対応】
高温高湿逆バイアス試験(H3TRB)

本製品は、高温・高電圧によるストレス条件下でパワー半導体の絶縁膜経時破壊を評価できます。
高精度な計測と故障時のデバイスへのダメージを最小限に抑える機能により、デバイス開発・信頼性評価における故障解析を支援します。
IGBT、MOSFETおよびダイオードを中心としてパワー半導体へ最大3000Vの高電圧を印加しながら、リーク電流の測定ができます。

【主な特長】

①1つの装置で2種類の試験可能
HTRBとHTGBの試験機能を1つのシステムへ統合してます。

②デバイス毎の電流計測回路により、電流を高精度に測定可能
ドレイン(コレクタ)端子側とゲート端子側それぞれの電流をデバイスごとに測定できます。
複数のデバイスを同時に試験中、該当デバイスがいつ故障したかを把握することができます。

③デバイスを繋ぎ変えることなく、IV特性の測定が可能
試験前、試験中、試験後の任意のタイミングでIV測定を実施でき、経時劣化によるデバイスの特性変化を測定できます。

④デバイスへのダメージを抑える機能
ストレス条件下のデバイスが故障する際、発生する電流サージによって不要なデバイス破壊が発生します。
サージ抑制機能、高速遮断機能などの保護機能により、サンプルが受けるダメージを最小限に抑えます。
保護機能はデバイス毎に設けており、一つのデバイスが故障しても周りのデバイスが影響を受けることはありません。

内槽
内槽
DUTボード(TO-220、TO-247、TO-3P兼用ソケット)
DUTボード
(TO-220、TO-247、TO-3P兼用ソケット)
主な仕様
ストレス電圧(DC) 100〜3000V
ゲート電圧(DC) -30V〜+30V(オプション -45V~+45V)
チャネル数 最大48ch
温度範囲 最大200℃(オプション 最大250℃)