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半導体特性評価システム
AMM－2000

機器概要

パッケージレベルからウェーハレベルまで対応

ウェーハの大口径化、微細化、高集積化に伴い、単体トランジスタの信頼性評価の重要性が高まっています。
このシステムは、高精度な電圧・電流印加とFET単体トランジスタの電気的特性および継続的変化を測定し、1台のPCでデータ収集、モニタリングなどの一元管理が可能です。

主な仕様

左右にスクロールしてご覧ください。

型式 AMM-C AMM-W
測定プログラム FET単体トランジスタ測定ライブラリ　48種
温度コントロール 恒温器
（エスペック製小型環境試験器SU-662）		 フル／セミオート／マニュアルプローバ
（メーカはご相談ください）
温度制御範囲-60 ～＋150℃
SMU性能 電圧±50V/電流±100mA
DUTとのコネクション DUTボード（ソケット6個）
・DIP600mil 28pin
・DIP300mil 16pin
選択		 ポジショナー
プローブカード（高温・微小電流用）
※レイアウトによりご提案いたします

特長

複数のDUTを一括処理
パッケージレベルで最大108 SMU、ウェーハレベルで最大324SMUすべて同時にストレス印加と測定が行えます。
DUT処理数
※TDDB 評価を行う場合は
追加ソフトウェア（オプション）が必要です。
高精度な電圧・電流印加と測定
マルチSMUの精度は±50V／ ±100mAの範囲で電圧2レンジ、電流9レンジを備え、1mV・1pAの分解能で広範囲に印加と測定が行えます。
FET単体トランジスタ特性からTDDB評価にも対応
FET単体トランジスタでは2端子（Drain・Gate）と4端子（Drain・Gate・Base・Source）の設定で、I-V特性やHCIやNBTIなどの評価が行えます。
オプションのTDDB評価用ソフトウェアを使用することで、多数のFET酸化膜の経時絶縁破壊を一度に測定し、寿命評価が可能になります。
TDDB評価機能：TDDB・TZDB・SBD・QDB・I-V評価などが可能となります。
ソフトでピンアサイン変更
キャビネット（36 SMU×3セット）単位で、端子の設定変更が行えます。また、同端子数のパッドレイアウト変更は、マルチSMU毎に、アプリケーション上で行えますので、同じプローブカードで、ピンアサイン変更が可能です。
静電破壊を回避
人体からの静電気を回避するために、ショートコネクタを用意し、FETへのダメージを防ぎます。さらにDUTボード上の配線はノイズの影響を受けないようにソケット元までガードリングされています。（パッケージレベル評価）
ショートコネクタ付DUT ボード（槽内）

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