半導体特性評価システム
AMM-2000
機器概要
パッケージレベルからウェーハレベルまで対応
ウェーハの大口径化、微細化、高集積化に伴い、単体トランジスタの信頼性評価の重要性が高まっています。
このシステムは、高精度な電圧・電流印加とFET単体トランジスタの電気的特性および継続的変化を測定し、1台のPCでデータ収集、モニタリングなどの一元管理が可能です。
主な仕様
左右にスクロールしてご覧ください。
型式 | AMM-C | AMM-W |
---|---|---|
測定プログラム | FET単体トランジスタ測定ライブラリ 48種 | |
温度コントロール | 恒温器 (エスペック製小型環境試験器SU-661) |
フル/セミオート/マニュアルプローバ (メーカはご相談ください) |
温度制御範囲-60 ~+150℃ | ||
SMU性能 | 電圧±50V/電流±100mA | |
DUTとのコネクション | DUTボードボード(ソケット6個) ・DIP600mil 28pin ・DIP300mil 16pin 選択 |
ポジショナー プローブカード(高温・微小電流用) ※レイアウトによりご提案いたします |
特長
- 複数のDUTを一括処理
- パッケージレベルで最大108 SMU、ウェーハレベルで最大324SMUすべて同時にストレス印加と測定が行えます。
- DUT処理数
- ※TDDB 評価を行う場合は
追加ソフトウェア(オプション)が必要です。
- 高精度な電圧・電流印加と測定
- マルチSMUの精度は±50V/ ±100mAの範囲で電圧2レンジ、電流9レンジを備え、1mV・1pAの分解能で広範囲に印加と測定が行えます。
- FET単体トランジスタ特性からTDDB評価にも対応
- FET単体トランジスタでは2端子(Drain・Gate)と4端子(Drain・Gate・Base・Source)の設定で、I-V特性やHCIやNBTIなどの評価が行えます。
また、オプションのTDDB評価用ソフトウェアを使用することで、TDDB・TZDB・SBD・QDB・I-V・BDVなどの評価が行えます。
- ソフトでピンアサイン変更
- キャビネット(36 SMU×3セット)単位で、端子の設定変更が行えます。また、同端子数のパッドレイアウト変更は、マルチSMU毎に、アプリケーション上で行えますので、同じプローブカードで、ピンアサイン変更が可能です。
- 静電破壊を回避
- 人体からの静電気を回避するために、ショートコネクタを用意し、FETへのダメージを防ぎます。さらにDUTボード上の配線はノイズの影響を受けないようにソケット元までガードリングされています。(パッケージレベル評価)
- ショートコネクタ付DUT ボード(槽内)
この製品をご覧になっているお客さまへのおすすめ製品はこちら
- デジタルカタログ
- PDFカタログ(2.9MB)
- 製品に関するお問い合わせ
- カスタマーサポートデスク