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スタティックバーンインシステム

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ozone

半導体デバイスやアッセンブリされ電子機器に温度や種々の電気的ストレスを加え、表面汚染や入力回路劣化のある半導体デバイスの除去に効果を発揮するバーンインシステムです。

型式 対象試料 温度範囲
RBS IC、ディスクリート、その他半導体デバイス全般、 各種電子部品、 電子ユニットおよび基板 H:＋70～＋150℃
M:＋20～＋150℃
L:－30～＋150℃
U:－55～＋150℃
■外法（mm）
型式 W H D
00型 780 2050 1250
0型 780 2050 1530
1型 1060 2050 1250
2型 1060 2050 1530
3型 1060 2050 1250
4型 1060 2050 1530
7型 1360 2050 1250
8型 1360 2050 1530
9型 1680 2050 1250
10型 1680 2050 1530
12型 2300 2050 1250
12型 2300 2050 1530