半導体デバイスやアッセンブリされ電子機器に温度や種々の電気的ストレスを加え、表面汚染や入力回路劣化のある半導体デバイスの除去に効果を発揮するバーンインシステムです。
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型式 対象試料 温度範囲 RBS IC、ディスクリート、その他半導体デバイス全般、 各種電子部品、 電子ユニットおよび基板 H:+70~+150℃
M:+20~+150℃
L:-30~+150℃
U:-55~+150℃
- ■外法(mm)
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型式 W H D 00型 780 2050 1250 0型 780 2050 1530 1型 1060 2050 1250 2型 1060 2050 1530 3型 1060 2050 1250 4型 1060 2050 1530 7型 1360 2050 1250 8型 1360 2050 1530 9型 1680 2050 1250 10型 1680 2050 1530 12型 2300 2050 1250 12型 2300 2050 1530
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