ESPEC Quality is more than a word

MENU

高温逆バイアス試験装置

対応試験：
高温逆バイアス試験(HTRB)
高温ゲートバイアス試験(HTGB)
高温高湿逆バイアス試験(H3TRB)

機器概要

本製品は、高温・高湿・高電圧によるストレス条件下でパワー半導体の絶縁膜経時破壊を評価できます。
高精度な計測と故障時のデバイスへのダメージを最小限に抑える機能により、デバイス開発・信頼性評価における故障解析を支援します。
SiC-MOSFET、IGBTおよびダイオードなどのパワー半導体に対し、最大3000Vの高電圧を印加しながら、リーク電流の測定ができます。

【主な特長】
  • HTR(G)B
  • H3TRB
  • ①一つのシステムで実現する三つの試験モード
    HTRB、HTGBおよびH3TRBの試験を1つのシステムで対応できます。
  • ②デバイス毎の電流計測回路により、電流を高精度に測定可能
    ドレイン(コレクタ)端子側とゲート端子側それぞれの電流をデバイスごとに測定できます。
    複数のデバイスを同時に試験中、該当デバイスがいつ故障したかを把握することができます。
  • ③配線変更不要のIV特性測定
    IV測定としては、Vth測定、On抵抗測定およびブレイクダウン電圧測定の3種類から選択可能です。試験前、試験中、試験後の任意のタイミングでIV測定を実施でき、経時劣化によるデバイスの特性変化を測定できます。
  • ④サンプル損傷を最小限に抑えるためのデバイス保護機能
    試験中にデバイスが絶縁破壊する時、電流サージの焼損等により事後解析が困難になるケースがあります。
    また、電流サージによって周辺デバイスの試験に影響を及ぼす恐れがあります。
    本装置は、デバイスごとにサージ抑制、高速遮断などの保護機能を有し、上記の影響を最小限にします。
  • HTR(G)B 内槽
  • H3TRB 内槽
  • DUTボード
    （TO-220、TO-247、TO-3P兼用ソケット）
主な仕様

左右にスクロールしてご覧ください。

HTR(G)B H3TRB
ストレス電圧 DC +100~3,000V
ゲート電圧 DC -30 ~ +30V(オプション DC -45 ~ +45V)
チャネル数 48ch/チャンバー
(恒温器の場合)		 48ch/チャンバー
(恒温恒湿器の場合)
温度範囲 最大200℃
(オプション最大250℃)		 85℃、85%
IV測定（オプション） Vth測定、On抵抗測定、ブレイクダウン電圧測定
＊測定範囲はお問い合わせください。

この製品をご覧になっているお客さまへのおすすめ製品はこちら