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急速温度変化試験

試験の概要・特長

急速温度変化試験は、冷熱衝撃試験の不良再現性の向上を目指して開発された温度サイクル試験です。
半導体の高集積化によるデバイス動作温度温度の上昇、BGA・CSPなどデバイスの実装方法の変化、鉛フリーはんだの採用など、電子デバイスや回路基板の信頼性に影響を与える課題は増え続けており、より適切な評価試験方法が求められています。
冷熱衝撃試験との大きな違いは供試品の温度変化率を15℃/分以下などと規定して、再現性の高い試験結果を得るためにJEDEC規格（JESD22-A104B）などで採用されています。

冷熱衝撃試験と急速温度サイクル試験の供試品温度変化の違い

試験設備のご紹介

急速温度変化チャンバー　TCC-150

  • 優れた温度分布がストレスを均一化

    温度変化中も優れた温度分布性能により、均一で再現性の高いストレスを与えます。
    最適な風量と風速分布をシュミレーションで割り出し、試験空間内の試料設置位置の違いによるストレスの違いを最小限に抑えています。

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  • 供試品の温度変化率を制御する新機能

    試料温度制御のための高速制御コントローラを採用。冷凍能力アップ、試料と空気温度差を最小限に抑える空調技術、供試品温度分布を最小にする風速分布の均一化など、さまざまな新技術で供試品温度制御を実現しています。

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  • JEDEC規格（JESD22-A104B）に対応

    半導体パッケージ評価、はんだ接合部評価のJESD22-A104B規格を実現した急速温度変化チャンバーは、15℃／分（-40℃～＋125℃）の供試品温度制御が行えます。

  • 供試品温度制御と空気温度制御に対応

    試料温度15℃／分の供試品温度制御と、空気温度制御による温度サイクル試験が行える、2つの制御方式を採用。各種試験規格からスクリーニングまで幅広い用途にご利用いただけます。

設置状況

  • 急速温度変化チャンバー：TCC-150

急速温度変化チャンバー
型式 TCC-150
温度範囲 -70～＋180℃
内法 W800×
H500×
D400mm

左右にスクロールしてご覧ください

温度変化 試料 制御対象 制御方式 性能
-70℃→+180℃設定時
-45℃→+155℃まで		 なし 空気 ノンランプ 9分以内
（23℃／分以上）
+180℃→-70℃設定時
+155℃→-45℃まで		 なし 空気 ノンランプ 11分以内
（18℃／分以上）
-40℃→+125℃設定時
-23.5℃→+108.5℃まで		 なし 空気 ノンランプ 5分以内
（26℃／分以上）
+125℃→-40℃設定時
+108.5℃→-23.5℃まで		 なし 空気 ノンランプ 7分以内
（20℃／分以上）
+125℃→-40℃設定時ー
+108.5℃→-23.5℃まで		 あり※ 空気 ランプ 15℃／分
+125℃→-40℃設定時
+108.5℃→-23.5℃まで		 あり※ 試料 ランプ 15℃／分

※試料（ガラスエポキシ基板）5kg＋治具4kg（当社基準品）

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