お客様の試験デバイスによってストレス電源、スイッチユニット、ゲートドライブ回路などの最適な機器構成をご提案いたします。
冷却方式はデバイスの発熱量に合わせて、空冷方式または水冷方式からお選びいただけます。
また、試験方式に応じて時間固定制御や温度目標制御（Tvj,Tc）を行っていただけます。

パワーサイクル条件のOFF時間を有効活用することで、1台の電源装置を使い試験時間の短縮が可能です。
また素子が故障しても、その素子のストレス印加を飛ばして他の素子は試験を継続します。

本装置は、試験条件に応じて印加方式を定電流モードと定電力モードの2種類から選択いただけます。
定電流モードについては、弊社独自の定電流ユニットを搭載することで電流印加時のオーバーシュートの抑制が可能です。
これによりストレス電流を高速遮断し、電流OFF300μs以後でのTvj計測を実現しています。

構造関数によって、各構造部それぞれの熱特性評価が可能です。
時間と半導体チップの温度上昇特性のグラフを変換し、発熱源から放熱器までの単一熱経路における各材料の熱の伝わり方を傾きで表現した特性グラフを作成します。現在リリースに向けて準備中です。