高温逆バイアス試験装置

パワー半導体の絶縁膜経時破壊評価に

高温・高電圧によるストレス条件下での
パワー半導体の絶縁膜経時破壊評価に適した装置をご提案いたします。

高精度な計測と故障時のデバイスへのダメージを最小限に抑える機能により、デバイス開発・信頼性評価における故障解析を支援します。IGBT、MOSFETおよびダイオードを中心としてパワー半導体へ最大3000Vの高電圧を印加しながらリーク電流の測定が行えます。

試験カテゴリー

試験対象デバイス

POINT 01１つの装置で２種類の試験が可能

HTRB（高温逆バイアス試験）とHTGB（高温ゲートバイアス試験）の試験機能を１つのシステムへ統合しています。また、カスタム仕様にてH3TRB（高温高湿逆バイアス試験）への対応も可能です。

ドレイン（コレクタ）端子側とゲート端子側それぞれの電流をデバイスごとに測定できます。
複数のデバイスを同時に試験中、該当デバイスがいつ故障したかを把握することができます。

サンプルを装置に入れた状態で試験前・試験中・試験後の任意のタイミングでIV測定の実施が可能です。また経時劣化によるデバイスの特性変化として、IV値の温度特性評価も行っていただけます。

サージ抑制機能、高速遮断機能などの保護機能により、サンプルが受けるダメージを最小限に抑えて不要なデバイス破壊を防ぎます。保護機能はデバイス毎に設けており、一つのデバイスが故障しても周りのデバイスが影響を受けることはありません。

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