高温反向偏压试验装置
用于评估功率半导体绝缘膜的经时破坏情况
我们推荐合适的装置，用于评估在因高温、高电压而产生应力的条件下
功率半导体绝缘膜的经时破坏情况。
通过高精度测量以及故障时将设备受损控制在最小限度的功能，在设备开发和可靠性评估的过程中，帮助完成故障分析。以IGBT、MOSFET以及二极管为中心，可对功率半导体施加最高3000V的高电压，同时测量泄漏电流。
试验类别
- 通过施加Vds测量Ids（漏电流）
- 通过控制栅极电压和施加Vds测量Ids
（漏电流） - IV测量
- HTGB试验
（高温栅极偏压试验） - H3TRB试验
（高温高湿反向偏压试验）
试验目标设备
- IGBT
- MOSFET
- 二极管
- GaN设备等的功率半导体
相关的关键词
- HTRB试验
- HTGB试验
- H3TRB试验
- 功率半导体
- 高发热
- 大电流
- 功率设备
POINT 01可用1台装置实施2种试验
HTRB（高温反向偏压试验）和HTGB（高温栅极偏压试验）的试验功能已整合至一个系统。此外，还可以通过定制规格支持H3TRB（高温高湿反向偏压试验）。
POINT 02用各设备的电流测量电路实现高精度的电流测量
可对各个设备分别测量漏极（集电极）端子侧和栅极端子侧的电流。
在同时对多台设备执行试验的过程中，可了解相应设备何时发生了故障。
POINT 03可在不改变设备连接的情况下测量IV特性
在试样放入装置的状态下，可在试验前、试验中、试验后的任意时间，执行IV测量。此外，还可以评估IV值的温度特性，作为经时劣化导致的设备特性变化。
POINT 04减轻设备受损的功能
利用浪涌抑制功能、快速切断功能等保护功能，将试样受损控制在最小限度，可防止不必要的设备损坏。每台设备都设有保护功能，即使一台设备发生故障，周围设备也不会受到影响。
规格
| 项目 | 主要的规格 |
|---|---|
| 应力电压（DC） | 100～3000V |
| 栅极电压（DC） | -30V～+30V（可选购件 -45V～+45V） |
| 通道数 | 最大48ch |
| 温度范围 | 最大200℃（可选购件 最大250℃） |