半導体特性評価システム_AMM-2000

高精度な測定・評価により、信頼性を追求「半導体パラメトリック評価システム」。ウェーハの大口径化、微細化・高集積化により信頼性評価の重要性も飛躍的に高まってきています。エスペックの「半導体パラメトリック評価システム」は、パッケージレベルからウェーハレベルまでを、高精度な電圧・電流印加とFET単体トランジスタの電気的特性および継続的変化を測定し、故障原因の解明に重要な役割を果たします。


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仕様型式OSSMU性能運転可能外囲温度SMU数通信制御測定サンプリングスピード装備品付属品電源・電圧外法※2質量AMM-2000Windows10電圧±50V/電流±100mA(下記SMU単体性能表を参照)+5℃~+35℃36SMU単位(MAX.324SMU)EthernetGPIBショートモードミディアムモードロングモード0~100msec→10msec間隔100msec以降10sec→100msec間隔10sec以降→タイムテーブルのとおりアベレージングをしないでデータ取得する。0~100msec→20msec間隔100msec以降10sec→100msec間隔10sec以降→タイムテーブルのとおり1周期に対してアベレージングする。0~10sec→100msec間隔10sec以降→タイムテーブルのとおり5周期に対してアベレージングする。タイムテーブル測定間隔10[sec]~100[sec]~1000[sec]~10000[sec]~100000[sec]~※倍率:1、2、5、10倍から選択100[sec]1000[sec]10000[sec]100000[sec]1000000[sec]1[sec]×倍率間隔で測定10[sec]×倍率間隔で測定100[sec]×倍率間隔で測定1000[sec]×倍率間隔で測定10000[sec]×倍率間隔で測定漏電遮断器、電源ケーブルユーザーズマニュアル1セット、AMMセットアップディスクAC200V±10%3φ50/60Hz最大電流16A※1W580×H1945×D1190mm約250kg※1全てのchに対して負荷を接続し、各負荷に電流上限値を印加した場合の定常電流値です。1キャビネットの場合。※2突起部は含まず。SMU単体性能電圧レンジ±10V±50V分解能1mV10mV確度±(0.2%+10mV)±(0.2%+50mV)最大電流100mA電圧レンジ±100mA±10mA±1mA±100μA±10μA±1μA±100nA±10nA±1nA分解能100μA10μA1μA100nA10nA1nA100pA10pA1pA確度最大電圧±(0.5%+100μA)±(0.5%+10μA)±(0.5%+1μA)±(0.5%+100nA)±(1.0%+10nA)±(1.0%+1nA)±(1.0%+100pA)±(2.0%+10pA)±(2.0%+10pA)50V※外囲温度+23℃±5℃(結露なし)の場合。確度:±(設定値あるいは指示値%+オフセット)オプション●FET単体トランジスタ評価用ソフトウェア●統計解析ソフトウェア複数ライセンス●SMモジュール●トライアキシャルケーブル●プローブカード※要求仕様に合わせてご提案します。●異電圧仕様10


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