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仕様型式ソフトSMU性能運転可能外囲温度SMU数通信制御測定サンプリングスピードショートモードミディアムモードロングモード半導体パラメトリック試験AMM-Cバーンイン試験装備品付属品電源・電圧外法※2質量漏電遮断器、電源ケーブルユーザーズマニュアル1セット、AMMセットアップディスクAC200V±10%3φ50/60Hz最大電流16A※1絶縁抵抗評価試験(エレクトロケミカルマイグレーション)AMIW580×H1945×D1190mm約250kg※1全てのchに対して負荷を接続し、各負荷に電流上限値を印加した場合の定常電流値です。1キャビネットの場合。※2突起部は含まず。AMM-TDDB-CAMIRBCRBSRBMMBITDDB評価試験パッケージ評価バーンイン試験エレクトロマイグレーション評価試験AEM逆バイアス試験(パワーデバイス)パワーサイクル試験(パワーデバイス)導体抵抗評価試験(接合信頼性試験)HTRBHTGBH3TRBAMIRBS-PSTAMRオプションSMU単体性能電圧レンジ±10V±50V分解能1mV10mV確度±(0.2%+10mV)±(0.2%+50mV)確度PCメーカー/携帯電話メーカー/車載メーカー/通信機器メーカー電圧レンジ±100mA±10mA±1mA±100μA±10μA±1μA±100nA±10nA±1nA分解能100μA10μA1μA100nA10nA1nA100pA10pA1pA±(0.5%+100μA)絶縁抵抗評価試験AMI±(0.5%+10μA)(エレクトロケミカルマイグレーション)±(0.5%+1μA)導体抵抗評価試験(接合信頼性試験)AMR±(0.5%+100nA)±(1.0%+10nA)±(1.0%+1nA)±(1.0%+100pA)±(2.0%+10pA)±(2.0%+10pA)※外囲温度+23℃±5℃(結露なし)の場合。確度:±(設定値あるいは指示値%+オフセット)最大電流100mA最大電圧●FET単体トランジスタ評価用ソフトウェア●統計解析ソフトウェア複数ライセンス●SMモジュール●トライアキシャルケーブル●プローブカード※要求仕様に合わせてご提案します。コンデンサ/インダクタ/抵抗/センサー導体抵抗評価試験(接合信頼性試験)漏れ電流測定評価試験コンデンサ温度特性評価試験インダクタ評価試験センサーバーンインAMRAMIAMQAEMRBS50V●異電圧仕様電子機器市場の信頼性評価におけるエスペック計測製品TDDB評価試験ウェーハ評価AMM2000WindowsOSAMM-TDDB-W電圧±50V/電流±100mA(下記SMU単体性能表を参照)+5℃〜+35℃36SMU単位(MAX.324SMU)TDDB評価試験ウェーハ評価半導体パラメトリック試験EthernetGPIBAMM-TDDB-WAMM-W0〜100msec→10msec間隔100msec以降10sec→100msec間隔10sec以降→タイムテーブルのとおりアベレージングをしないでデータ取得する。0〜100msec→20msec間隔100msec以降10sec→100msec間隔10sec以降→タイムテーブルのとおり1周期に対してアベレージングする。0〜10sec→100msec間隔10sec以降→タイムテーブルのとおり5周期に対してアベレージングする。タイムテーブル10[sec]〜100[sec]〜1000[sec]〜10000[sec]〜100000[sec]〜※倍率:1、2、5、10倍から選択RBCRBSRBMMBI100[sec]1000[sec]10000[sec]100000[sec]1000000[sec]測定間隔封し材料/サブストレート基板/絶縁材料/はんだ材料/多層基板1[sec]×倍率間隔で測定絶縁抵抗評価試験10[sec]×倍率間隔で測定(エレクトロケミカルマイグレーション)100[sec]×倍率間隔で測定導体抵抗評価試験(接合信頼性試験)1000[sec]×倍率間で測定10000[sec]×倍率間隔で測定AMIAMR20
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