半導体特性評価システム_AMM-2000

高精度な測定・評価により、信頼性を追求「半導体パラメトリック評価システム」。ウェーハの大口径化、微細化・高集積化により信頼性評価の重要性も飛躍的に高まってきています。エスペックの「半導体パラメトリック評価システム」は、パッケージレベルからウェーハレベルまでを、高精度な電圧・電流印加とFET単体トランジスタの電気的特性および継続的変化を測定し、故障原因の解明に重要な役割を果たします。


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測定プログラム●定電圧測定●ステップ電圧測定(I-V特性測定、TZDB法)一定電圧ストレス印加し、測定を行ない測定電流と破壊時間を保存します。電圧を階段状に増加させながら印加し、各電圧での電流を測定します。Emax・ToxまたはJmaxに達した電圧dtdVG時間印加電圧-Vfb測定時間0印加電圧●ソフトブレイクダウンストレス印加電圧と測定電圧を変えてデータを取得します。測定電圧は10段階の設定が行えます。●ステップ電流測定(TZDB)電流を段階状に増加させながら印加し、電圧の時間的変化を測定します。故障と判定すると試験を終了します。8時間TmaxTmaxになっても破壊が検出されない場合は測定終了測定開始tPBD秒まで電界EGがEPBD[MV/cm]以下の場合、Prebreakdownとする連続する2測定値の差がV以上でかつEPBD以下で破壊とする時間Jminになる電流0測定値の例0測定電圧印加電流(logスケール)Jmax・A時間EG●電流ストレス測定一定の電流を印加、電圧測定し故障時間を記録保存します。電流一定(一定電流密度印加)Qbd=印加電流密度×故障時間測定電流0印加電圧連続する2測定値の比がEG電界強度比以上ある場合破壊と規定t時間「秒」


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