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幅広い評価項目にも対応ウェーハレベルやガラス基板レベルでのTDDB評価が可能です。例えば、ウェーハ表面上のコンタクトパッド(Gate)と裏面(GND)間、または表面上部の2つのコンタクトパッド(例:Gate-GND)間の漏れ電流をSMU1端子で測定できます。また、トランジスタの4部位(Drain・Gate・Base・Source)に4つのSMU端子を接続することで、QDBおよびTZDB評価が可能です。ソフトでピンアサイン変更キャビネット(36SMU×3セット)単位で、端子の設定変更が行えます。また、同端子数のパッドレイアウト変更は、マルチSMU毎に、アプリケーション上で行えますので、同じプローブカードで、ピンアサイン変更が可能です。プローブカード(オプション)ウェーハサイズ、ウェーハマップ、パッドレイアウト、耐熱温度の要求仕様に合わせた最適なプローブカードをご提案いたします。一括全面コンタクトが特長です。マニュアルプローバホットチャックコントローラチャンバーTEGボード中継BOXパネル②TDDB(酸化膜経時破壊)評価試験DUTへの接続(*SMU1端子によるウェーハ接続例)1padperFET接続トライアキシャルケーブル2padsperFET接続トライアキシャルケーブル装置GND端子へシールドガードストレス印加/測定プローブカードホットチャック3軸プラグプローブピンウェーハ3軸プラグGNDガードストレス印加/測定プローブカードホットチャック裏面電極チャックガード測定端子接続図〈TDDB〉〔1端子測定の場合〕〔2端子測定の場合〕1111SMU-ch.ASMU-ch.BSMU-ch.CSMU-ch.DDUT処理数評価設定端子数22211SMU-ch.ASMU-ch.C22SMU-ch.BSMU-ch.D〔4端子測定の場合〕2システムコントローラ部SMU-ch.BGP-IBGate無停電電源DrainSMU-ch.AMSMユニットBaseSMU-ch.CLANコントローラSourceSMU-ch.D1ユニットにボード10枚1ボードにMSM4個DUT処理数プリンタウェーハ324SMU(36SMU×9セット)E-BUSパッケージ108SMU(36SMU×3台)TDDB評価1端子試験最大324DUT最大108DUT2端子試験TDDB評価FET評価TDDB評価FET評価※FET単体トランジスタ特性評価を行う場合は、追加ソフトウェア(オプション)が必要です。●2端子測定の場合トライアキシャルケーブル最大162DUT最大54DUT最大81DUT4端子試験最大27DUT●1端子測定の場合トライアキシャルケーブルガード信号線プローブカード3軸プラグGNDホットチャック3軸プラグ装置GND端子へシールドガード信号線プローブカードホットチャック裏面電極プローブピンウェーハチャックガードプローブカードはウェーハのダイレイアウトにより最大160pin-耐熱温度260℃プローブ/カード材質および構造は別途打ち合せが必要です。7
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