半導体特性評価システムAMM

高精度な測定・評価により、信頼性を追求した半導体パラメトリック評価システムです。ウェーハの大口径化、微細化、高集積化により信頼性評価の重要性も飛躍的に高まってきています。エスペックの「半導体パラメトリック評価システム」は、パッケージレベルからウェーハレベルまでを高精度な電圧・電流印加とFET単体トランジスタの電気的特性および継続的変化を測定し、故障原因の解明に重要な役割を果たします。


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ショートコネクタ付DUTボード(槽内)時間TmaxTmaxになっても破壊が検出されない場合は測定終了測定開始tPBD秒まで電界EGがEPBD[MV/cm]以下の場合、Prebreakdownとする連続する2測定値の差がV以上でかつEPBD以下で破壊とする時間DUTボードプローブカード(一例)8Jminになる電流0測定値の例0測定電圧印加電流(logスケール)Jmax・A●ステップ電流測定(TZDB)電流を段階状に増加させながら印加し、電圧の時間的変化を測定します。故障と判定すると試験を終了します。Emax・ToxまたはJmaxに達した電圧dtdVG時間印加電圧-Vfb時間半導体特性評価システムAMM-2000測定プログラム一定電圧ストレス印加し、測定を行ない測定電流と破壊時間を保存します。●ステップ電圧測定(I-V特性測定、TZDB法)電圧を階段状に増加させながら印加し、各電圧での電流を測定します。1台のPCですべての試験を一元管理ホストコンピュータで試験温度(-60℃~+150℃)から電圧印加・測定、データ収集、モニタリング(ウェーハの画面分布表示、チャンバーの温度制御)などを、一元管理できます。測定印加電圧●定電圧測定●ソフトブレイクダウンストレス印加電圧と測定電圧を変えてデータを取得します。測定電圧は10段階の設定が行えます。解析用アプリケーションソフトウェアを用意試験の進行状況や測定値の変化を自動更新でリアルタイムに確認できます。測定後には測定結果からワイブルプロットの作成や寿命測定が行えます。Excelなどの表計算ソフトウェアなどのデータ変換も行えます。印加電圧0時間専用のDUTボードDIP600mil28pin、DIP300mil16pin、の耐熱ソケットをご用意しています。t連続する2測定値の比がEG電界強度比以上ある場合破壊と規定EG時間「秒」測定電流●電流ストレス測定試験開始時の静電破壊を回避人体からの静電気を回避するために、ショートコネクタを用意し、FETへのダメージを防ぎます。さらにDUTボード上の配線はノイズの影響を受けないようにソケット元までガードリングされています。電流一定(一定電流密度印加)Qbd=印加電流密度×故障時間一定の電流を印加、電圧測定し故障時間を記録保存します。(パッケージレベル評価)プローブカード(オプション)要求仕様に合わせ、最適なプローブカードをご提案いたします。


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