半導体特性評価システム_AMM-2000

半導体特性評価システムAMM-2000パッケージレベル評価タイプウェーハレベル評価タイプ測定端子接続図〈FET単体トランジスタ〉〔2端子測定の場合〕〔4端子測定の場合〕DrainSMU-ch.ADrainSMU-ch.AGateBaseSMU-ch.BSMU-ch.BGateBaseSMU-ch.CSourceSourceSMU-ch.DDUT処理数評価設定端子数DUT処理数ウェーハ324SMU(36SMU×9セット)パッケージ108SMU(36SMU×3台)パッケージレベルとウェーハレベルで複数のDUTを一括処理マルチSMUと1枚のCPU基板が基本構成となります。パッケージレベルで最大108SMU(36SMU×3セット)、ウェーハレベルで最大324SMU(36SMU×9セット)すべて同時にストレス印加と測定が行えます。高精度な電圧・電流印加と測定を実現マルチSMUの精度は±50V/±100mAの範囲で電圧2レンジ、電流9レンジを備え、1mV・1pAの分解能で広範囲に印加と測定が行えます。FET単体トランジスタ特性からTDDB評価にも対応FET単体トランジスタでは2端子(Drain・Gate)と4端子(Drain・Gate・Base・Source)の設定で、I-V特性やHCIやNBTIなどの評価が行えます。また、オプションのTDDB評価用ソフトウェアを使用することで、1端子(Gate-GNDcommon)と2端子(Gate-GND)、4端子(Drain・Gate・Base・Source)の設定で、TDDB・TZDB・SBD・QDB・I-V・BDVなどの評価が行えます。ソフトでピンアサイン変更キャビネット(36SMU×3セット)単位で、端子の設定変更が行えます。また、同端子数のパッドレイアウト変更は、マルチSMU毎に、アプリケーション上で行えますので、同じプローブカードで、ピンアサイン変更が可能です。FET評価TDDB評価FET評価TDDB評価4端子試験最大81DUT2端子試験最大162DUTTDDB評価FET単体トランジスタ測定1端子試験最大324DUT最大27DUT最大54DUT最大108DUT※TDDB評価を行う場合は、追加ソフトウェア(オプション)が必要です。〔3端子測定の場合〕〔2端子測定の場合〕3DrainSMU-ch.ADrainSMU-ch.AGateBaseGateBase