半導体特性評価システムAMM

半導体特性評価システムAMM-2000パッケージレベル評価タイプウェーハレベル評価タイプ測定端子接続図〈FET単体トランジスタ〉〔2端子測定の場合〕〔4端子測定の場合〕DrainSMU-ch.ADrainSMU-ch.AGateBaseSMU-ch.BSMU-ch.BGateBaseSMU-ch.CSourceSourceSMU-ch.DDUT処理数評価設定端子数DUT処理数ウェーハ324SMU(36SMU×9セット)パッケージ108SMU(36SMU×3台)FET評価TDDB評価FET評価TDDB評価4端子試験最大81DUT2端子試験最大162DUTTDDB評価FET単体トランジスタ測定1端子試験最大324DUT最大27DUT最大54DUT最大108DUT※TDDB評価を行う場合は、追加ソフトウェア(オプション)が必要です。〔3端子測定の場合〕〔2端子測定の場合〕3DrainSMU-ch.ADrainSMU-ch.AGateBaseGateBaseパッケージレベルとウェーハレベルで複数のDUTを一括処理マルチSMUと1枚のCPU基板が基本構成となります。パッケージレベルで最大108SMU(36SMU×3セット)、ウェーハレベルで最大324SMU(36SMU×9セット)すべて同時にストレス印加と測定が行えます。高精度な電圧・電流印加と測定を実現マルチSMUの精度は±50V/±100mAの範囲で電圧2レンジ、電流9レンジを備え、1mV・1pAの分解能で広範囲に印加と測定が行えます。FET単体トランジスタ特性からTDDB評価にも対応FET単体トランジスタでは2端子(Drain・Gate)と4端子(Drain・Gate・Base・Source)の設定で、I-V特性やHCIやNBTIなどの評価が行えます。オプションのTDDB評価用ソフトウェアを使用することで、多数のFET酸化膜の経時絶縁破壊を一度に測定し、寿命評価が可能になります。TDDB評価機能:TDDB・TZDB・SBD・QDB・I-V評価などが可能となります。ソフトでピンアサイン変更キャビネット(36SMU×3セット)単位で、端子の設定変更が行えます。また、同端子数のパッドレイアウト変更は、マルチSMU毎に、アプリケーション上で行えますので、同じプローブカードで、ピンアサイン変更が可能です。SMU1端子でFET酸化膜の絶縁破壊測定が可能SMUの1端子で電圧・電流を印加・測定し、リーク側を装置共通のGNDに接続することで、SMU1端子のみで1つのFET酸化膜の経時絶縁破壊測定が可能となります。