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TDDB(酸化膜経時破壊)評価システム半導体パラメトリック評価システムLSIの信頼性に大きく関わる、酸化膜の信頼性評価が求められます。TDDB評価システムは、ウェーハをはじめガラス基板やパッケージレベルでの、薄膜化による絶縁酸化膜の耐圧や酸化膜の特性と平坦化による故障原因の解明に大きな役割を果たします。電圧電流の出力やモニターが可能なSMモジュールをチャンネル毎に装備。SMモジュールは4SMUで1ボードを、最大9ボード収納できるユニット(36SMU)を基本構成とし、ウェーハレベルで最大9セット(324SMU)まで増設が行えます。■AMMSMU性能DUT処理数:電圧±50V/電流±100mA最大108DUTパッケージ):最大324DUT(ウェーハ)(写真はシステム例)半導体素子は、ウェーハの大口径化、微細化、高集積化に伴い、単体トランジスタの信頼性が求められています。単体トランジスタ特性評価として、I-V特性、HCI、NBTIなどの継続変化を測定します。デバイスの多数個一括同時処理が行えます。■AMM分解能電圧/電流測定範囲DUT処理数:::1mVステップ/1pAステップ±50V/±100mA最大54DUTパッケージ)最大162DUTウェーハ)スタティックバーンインシステム半導体デバイスやアセンブリされた電子機器に温度や種々の電気的ストレスを加え、表面汚染や入力回路劣化のある半導体デバイスの除去に効果を発揮します。高発熱デバイスを考慮した弊社独自の空調方式により、信頼性の高い温度環境にで評価を行えます。型式RBS-A1RBS-B1対象試料IC、ディスクリート、その他半導体デバイス全般、各種電子部品、電子ユニットおよび基板温度範囲Hタイプ:+70℃〜+150℃Mタイプ:+20℃〜+150℃Lタイプ:-30℃〜+150℃Uタイプ:-55℃〜+150℃30
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