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TDDB(酸化膜経時破壊)評価システム半導体パラメトリック評価システム(写真はシステム例)半導体素子は、ウェーハの大口径化、微細化、高集積化に伴い、単体トランジスタの信頼性が求められています。単体トランジスタ特性評価として、I-V特性、HCI、NBTIなどの継続変化を測定します。デバイスの多数個一括同時処理が行えます。■AMM分解能電圧/電流測定範囲DUT処理数:::1mVステップ/1pAステップ±50V/±100mA最大54DUT(パッケージ)最大162DUT(ウェーハ)エレクトロマイグレーション評価システム半導体素子内の配線に電流を流し、断線までの製品寿命を予測します。近年、半導体パッケージ内のC4(ControlledCollapsedChipConnection)の接合信頼性評価にも用いられます。■AEMストレス電流源オーブン温度制御範囲:出力範囲+DC0.1mA〜200mA:+65℃〜+350℃LSIの信頼性に大きく関わる、酸化膜の信頼性評価が求められます。TDDB評価システムは、ウェーハをはじめガラス基板やパッケージレベルでの、薄膜化による絶縁酸化膜の耐圧や酸化膜の特性と平坦化による故障原因の解明に大きな役割を果たします。電圧電流の出力やモニターが可能なSMモジュールをチャンネル毎に装備。SMモジュールは4SMUで1ボードを、最大9ボード収納できるユニット(36SMU)を基本構成とし、ウェーハレベルで最大9セット(324SMU)まで増設が行えます。■AMMSMU性能DUT処理数:電圧±50V/電流±100mA最大108DUT(パッケージ):最大324DUTウェーハ)33
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