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パワーデバイスパワーデバイス高温逆バイアス試験装置パワーサイクル試験装置空冷式パワー半導体の絶縁膜の経時破壊試験として高温、高電圧によるストレス条件下でのリーク電流挙動を測定評価します。IGBT、パワーMOSFETを中心としたパワー半導体のゲート端子にゲートオフ電圧を印加した状態で、ストレス電圧としてD-S間に100〜3kVの逆バイアスを印加、Ice・Idsリーク電流値を測定し、定期的にロギングします。その他の素子でも耐電圧評価装置としてもお使いいただけます。高温ゲートバイアス(HTGB)および、高温高湿逆バイアス(H3TRB)試験評価装置もご用意しております。お問い合わせください。ストレス電圧(DC)ゲート電源(DC)チャネル数温度範囲:100V〜3000V:-30V〜+30V:最大48ch:最大200℃(オプション最大250℃)水冷式パワー半導体(IGBT・MOSFET)の信頼性向上に重要な役割を果たすパワーサイクル試験装置。パワー半導体に大電流を印加し、デバイス内部を発熱させて高温目標温度にさせたり、低温目標温度にするために電流印加を遮断して内部発熱を止め、外部よりチラー水や空気により冷却。この繰り返しにより冷却ストレスをデバイスに与えて熱応力破断を発生させ、ワイヤボンディングとチップ間の接合評価をします。■主なテストモード連続モードVfサイクルモードサイクルモード冷却水温と水量を制御:Ice一定で設定デバイス温度に到達するように:デバイス温度が設定温度に到達するようにIceのON/OFFによる制御を繰り返す:設定時間でIceのON/OFFを繰り返す30
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