エレクトロマイグレーション評価システム AEMシリーズ(Japanese)

350℃におけるエレクトロマイグレーション評価。半導体デバイスの寿命は、進歩する微細化に伴い、より過酷な条件下でのエレクトロマイグレーション評価が重要になっています。寿命加速要因となる温度と電流ストレスによる高精度な測定に、デバイス寿命を導くために必要なパラメーターを求める解析ソフトを搭載。「エレクトロマイグレーション評価システム AEMシリーズ」は、先端評価から生産管理まで幅広くご使用いただけるよう、操作性・信頼性・データ解析の容易さを高め、評価ニーズに的確にお答えするシステムです。


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6解析ソフトウェアSTARTプリテストEND温度特性(TCR)試験定電流ストレス(Electromigration)試験DUTNo.Temperature(℃)Time(h)測定した抵抗値をDUT毎にグラフ表示します。測定した抵抗値をDUT・温度毎にグラフ表示します。測定した抵抗値をDUT・時間毎にグラフ表示します。相対変化率・絶対値での表示が可能です。統計グラフ(ノーマル/ログノーマル/ワイブル)温度依存性電流密度依存性その他パラメータ依存性TemperatureDependenceCurrentDensityDependenceLineWidthDependenceResistance(%)Resistance(Ω)Resistance(Ω)MTTF(h)MTTF(h)MTTF(h)Temperature(℃)J(mA)LineWidth(μm)複数温度条件の分布プロットより求めた寿命(MTTF/メジアン)より温度依存性をグラフ表示します。ライン方程式および活性化エネルギーを算出します。複数電流密度条件での重ね描きも可能です。複数電流密度条件の分布プロットより求めた寿命(MTTF/メジアン)より電流密度依存性をグラフ表示します。ライン方程式を算出します。アレニウスプロットより求めたEaより配線温度の補正が可能です。複数温度条件での重ね描きも可能です。温度・電流密度以外のパラメータ(配線長・配線幅・厚み・コンタクト数)への依存性をグラフ表示します。活性化エネルギー(Ea)電流密度指数Black'smodel


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