不揮発性メモリ評価システムはフラッシュメモリやFeRAMなどの不揮発性メモリの評価試験を行うモニターバーンインシステムです。
フラッシュメモリでは複雑なアルゴリズムを発生できるパターン発生機能とバッドブロック管理機能、Vth分布測定機能などにより、テスターでのテスト機能の移管が可能です。また、今後新しく開発される不揮発性メモリのテストに対応できるよう拡張性と柔軟性をコンセプトとし、不揮発性メモリの研究開発から量産までの試験、検査用の装置としてお役立て頂けます。

対象デバイス

フラッシュメモリ(flash memory)は、書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない不揮発性半導体メモリ。NAND型、NOR型があり、携帯ミュージックプレイヤーの普及によりNAND型のフラッシュメモリの需要が急激に伸びている。（写真 43nm プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリ 東芝社製 16GB 32GB）

特長

• フラッシュメモリの消去/書き込みサイクル試験を大量かつ高速で処理
• NAND型フラッシュメモリのブロック管理に対応
• フレキシブルなパターンジェネレータ（ALPG）を搭載
• 多槽式チャンバーを採用、多水準の温度試験評価が容易に実現

システムブロック

仕様

	Model	RBM-LCT-1212- m23UUU	RBM-LCT-1212- m23HUU	RBM-LCT-PST01
Chamber	Variation	High/Low Temp. Chamber ×3	High Temp. Chamber×1 High/Low Temp.Chamber ×2	Chamber less
	Operating temperature	-55℃ ～ 150℃	High Temp. Chamber ＋70℃ ～ 150℃ High/Low Temp. Chamber -55℃ ～ 150℃	Ambient Temp. （Test Only）
	Slot	12	12	1
	Zone	12	12	1
System performance /Timing generator	Cycle time / Resolution	100nS～0.6mS / 10nS
	Timing number	30
	Clock frequency	16
	Strobe	2
	Clock resolution	10nS
DUT Power	PS1、PS2	0.8V～8.0V / 10A
	PS3 ～ PS5	1V～15V / 6A
	PS6	-1V～-15V / 6A
	Output accuracy	±（2%＋50mV）