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不揮発性メモリ評価システム

不揮発性メモリ評価システムはフラッシュメモリやFeRAMなどの不揮発性メモリの評価試験を行うモニターバーンインシステムです。
フラッシュメモリでは複雑なアルゴリズムを発生できるパターン発生機能とバッドブロック管理機能、Vth分布測定機能などにより、テスターでのテスト機能の移管が可能です。また、今後新しく開発される不揮発性メモリのテストに対応できるよう拡張性と柔軟性をコンセプトとし、不揮発性メモリの研究開発から量産までの試験、検査用の装置としてお役立て頂けます。

対象デバイス
フラッシュメモリ(flash memory)は、書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない不揮発性半導体メモリ。NAND型、NOR型があり、携帯ミュージックプレイヤーの普及によりNAND型のフラッシュメモリの需要が急激に伸びている。(写真 43nm プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリ 東芝社製 16GB 32GB)
対象デバイス
特長
  • フラッシュメモリの消去/書き込みサイクル試験を大量かつ高速で処理
  • NAND型フラッシュメモリのブロック管理に対応
  • フレキシブルなパターンジェネレータ(ALPG)を搭載
  • 多槽式チャンバーを採用、多水準の温度試験評価が容易に実現
システムブロック
システムブロック
仕様
  Model RBM-LCT-1212-
m23UUU
RBM-LCT-1212-
m23HUU
RBM-LCT-PST01
Chamber Variation High/Low Temp.
Chamber ×3
High Temp. Chamber×1
High/Low Temp.Chamber ×2
Chamber less
Operating temperature -55℃ ~ 150℃ High Temp. Chamber
+70℃ ~ 150℃
High/Low Temp.
Chamber
-55℃ ~ 150℃
Ambient Temp.
(Test Only)
Slot 12 12 1
Zone 12 12 1
System
performance
/Timing
generator
Cycle time / Resolution 100nS~0.6mS / 10nS
Timing number 30
Clock frequency 16
Strobe 2
Clock resolution 10nS
DUT Power PS1、PS2 0.8V~8.0V / 10A
PS3 ~ PS5 1V~15V / 6A
PS6 -1V~-15V / 6A
Output accuracy ±(2%+50mV)

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