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HTRB(高温逆バイアス)試験装置

パワー半導体の絶縁膜の経時破壊試験として高温、高電圧によるストレス条件下でのリーク電流挙動を測定評価します。
IGBT、パワーMOSFETを中心としたパワー半導体のG端子にピンチオフ電圧を印加した状態で、ストレス電圧としてD-S 間に数100~3,000Vの逆バイアスを印加、Ice・Idsリーク電流値を測定し、定期的にロギングします。ロギングデータはCSV形式のファイルに保存し経時変化を評価できます。
高温逆バイアス試験装置では、劣化加速として高温による加速をおこないます。
高温チャンバーにおきましても、評価サンプル数に適したさまざまなテストエリアサイズや温度制御範囲の半導体評価専用チャンバーをご用意しています。
高温逆バイアス試験では、高電圧、高温度をストレスとするためデバイス保護、作業者の安全にも留意し、さらにユーザーの設備安全仕様にもお応えいたします。
この装置はIGBT、パワーMOSFET、ダイオードに限らず、その他の素子でも耐電圧評価装置としてもお使いいただけます。
350℃の高温下で試験に対応できる独自開発のセラミック材料や、コンタクトピン材料を使用した350℃耐熱ソケット冶具をご用意しています。

内槽
内槽
内槽
試験ボード
システムブロック図
システムブロック図
主な仕様
型式  
ドレイン電源 0 ~ 2000Vまたは0 ~ 3000V
ゲート電源 0 ~ ±30Vまたは0 ~ ±35V
チャンネル数 12ch・24ch・48ch
温度制御 DUTボード槽内接続タイプ
200℃または350℃
DUTボード 耐熱ボード200℃または350℃